- Блокировка спиновой долины для квантовых точек в промежутке в транзисторе MoS2 (arXiv)
Автор: Радха Кришнан, Санграм Бисвас, Ю-Линг Сюэ, Хонгян Ма, Раджиб Рахман, Бент Вебер.
Аннотация: Спины, приуроченные к атомарно-тонким полупроводникам, активно исследуются как носители квантовой информации. В дихалькогенидах переходных металлов (TMDC) гексагональная кристаллическая решетка дает дополнительную степень свободы долины с блокировкой спин-долина и потенциально увеличенным временем жизни спина и временем когерентности. Однако реализация хорошо разделенных одночастичных уровней и достижение прозрачного электрического контакта для их решения остаются сложной задачей. Здесь мы сообщаем о четко определенных спиновых состояниях в транзисторе с несколькими слоями MoS2, характеризуемом спектральным разрешением ~ 50 мкэВ при Tel = 150 ~ мК. Магнитоспектроскопия основного состояния подтверждает конечную индуцированную кривизной Берри связь спина и долины, отраженную в выраженной зеемановской анизотропии, с большим внеплоскостным g-фактором g⊥≃8. Конечный g-фактор в плоскости (g∥≃0,55−0,8) позволяет нам количественно оценить спин-долинный захват и оценить спин-орбитальное расщепление 2∆SO∼100 мкэВ. Демонстрация блокировки спин-долины является важной вехой на пути к реализации квантовых битов спин-долины.
2. Реконфигурация материала, вызванная электротермическим переносом, и ухудшение характеристик монослойных транзисторов MoS2, выращенных методом ХОПФ (arXiv)
Автор: Анш, Дживеш Кумар, Гаурав Шеоран, Маянк Шривастава.
Реферат: Мы сообщаем о выращенном методом CVD монослое MoS2 самые первые результаты временной деградации материала и характеристик устройства под действием электрического напряжения. Исследуются режимы работы как в слабом, так и в сильном поле при различных температурах, смещении затвора и циклах нагрузки. Обнаружено, что во время работы в слабом поле ток достигает насыщения после сотен секунд работы, при этом постоянная времени затухания тока является функцией температуры и цикла нагрузки. Насыщение тока через несколько секунд при работе в слабом поле происходит, когда устанавливается тепловое равновесие. Однако работа в сильном поле, особенно при низкой температуре, приводит к деградации материалов и устройств с помощью ударной ионизации. Обнаружено, что работа в сильном поле при низкой температуре приводит к аморфизации канала, что подтверждается приборным анализом и анализом силовой микроскопии зонда Кельвина (KPFM). В общем, длительная работа при комнатной температуре транзисторов MoS2, выращенных методом CVD, приводит к ухудшению управления затвором, более высокому току в выключенном состоянии и отрицательному сдвигу порогового напряжения (VT). Это дополнительно подтверждается с помощью микрорамановской и фотолюминесцентной спектроскопии, которые предполагают, что стационарное электрическое напряжение постоянного тока приводит к образованию локализованных областей с низким сопротивлением в канале и последующей потере характеристик транзистора. Наши результаты раскрывают уникальный механизм, с помощью которого CVD MoS2 подвергается деградации материала под действием электрического напряжения и последующему нарушению поведения транзистора. Такое понимание надежности материалов и устройств помогает определить безопасный режим работы как с точки зрения устройства, так и схемы.
